石墨烯變為蓄電池電極，可用光碟機實現「量產」 - 峰哥的科學世界 - Yahoo!奇摩部落格:
在DVD上成膜的氧化石墨（黃金色）上，用DVD雷射形成了圖案。雷射照射到的部分變成了多層石墨烯，顏色也變成黑色。（攝影：Maher El-Kady, UCLA）
利用市售的光碟驅動器
UCLA表示，20美元左右的低價CD/DVD光碟機是製作石墨烯電極的出色「製造裝置」（圖1）。具體的製造方法如下：首先，將石墨粉末氧化，變成「氧化石墨（GO）」粉，然後將其混入水溶液中，均勻塗在PET（polyethyleneterephthalate）等薄膜基板上注1）。接下來，將其烘乾後貼在CD/DVD光碟上，並放入光碟機中，用燒錄CD時使用的雷射進行照射注2）。
注1） 據說薄膜基板也可用鋁（Al ）箔及複印紙等代替。
注2） 使用的雷射是用來燒錄CD的波長為788nm的紅外光。
GO被雷射照射後，會被還原並剝離，變成多層石墨烯片重疊的「LSG（laser scribed graphene）」狀態，顏色也會由黃金色變成黑色。最後將附有石墨烯的薄膜基板從光碟上剝離下來，便可將其用於電容器或充電電池。UCLA用這種方法試製出了面積為1cm2，厚度僅為68μ～82μm的柔性電化學電容器（EC）。
UCLA嘗試了多種材料作為這種薄型EC的電解液，包括（1）磷酸、（2）由磷酸與聚乙烯醇（PVA）樹脂混合而成的凝膠狀物質、（3）離子液體。據UCLA介紹，這些電解液均在保持電容器較高輸出功率密度的情況下，實現了與鋰離子充電電池相當的能量密度。
尤其是電解液採用離子液體的EC，單位體積的最大能量密度約為1.36kWh/L，單位體積的最大輸出功率密度約為20kW/L，這樣的性能分別與薄型鋰離子充電電池的能量密度以及鋁電解電容器的輸出功率密度相當。
兼顧高品質和低成本
NIMS採用該電極與水性電解液製造EC時發現，電極單位重量的輸出功率密度為58.5kW/kg，單位重量的能量密度為62.8Wh/kg，「分別是採用活性炭電極時的10倍」（NIMS）。採用離子液體作為電解液時，能量密度進一步提高到了155.6Wh/kg。（記者：野澤 哲生，《日經電子》）
利用石墨烯製成存儲單元
現已提出的3D記憶體方案，其構造多為在Si基板上3D層疊使用多晶矽溝道的存儲單元。東芝作為後NAND快閃記憶體正在開發的電荷捕獲型3D記憶體「BiCS」就是其中的一例。據三星的開發小組介紹，東芝的3D記憶體主要存在兩個課題。第一，溝道材料因採用多晶矽，難以充分提高工作速度等性能。第二，因多晶矽的退火處理等要在高溫下進行，在耐熱性差的柔性基板上難以形成。其結果是，目前基板材料只能使用300mm的矽晶圓。
三星的開發小組表示，在電荷捕獲型記憶體的溝道上採用石墨烯，能夠克服上述問題。首先，石墨烯的載流子遷移率高，因此工作速度高的存儲單元容易實現。其次，通過採用石墨烯的轉印工藝，能夠在250℃以下的低溫下形成存儲單元。因此優勢在於，可以採用與平板顯示器（FPD）相似的製造工藝，在大面積柔性基板上製作3D記憶體。
開發小組此次在SiO2/Si基板上形成了柵極電極採用Ni、溝道採用單層石墨烯、電荷存儲層採用HfO2、溝道絕緣膜採用Al2O3的存儲單元，並評估了其特性。得到的工作窗口寬達9.3V，足以用於非揮發性記憶體。（記者：大下 淳一）
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石墨烯變為蓄電池電極，可用光碟機實現「量產」
【日經BP社報導】作為碳材料的一種，石墨烯很有希望成為蓄電池的電極材料。美國加州大學洛杉磯分校（UCLA）和日本物質材料研究機構（NIMS）各自都開發出了使用石墨烯作為電極、能量密度與充電電池相當的電容器。兩者在製造石墨烯時都開發了獨自的方法，有利用製造消費類產品的技術的，也有在石墨烯中加入碳奈米管（CNT）的。
在DVD上成膜的氧化石墨（黃金色）上，用DVD雷射形成了圖案。雷射照射到的部分變成了多層石墨烯，顏色也變成黑色。（攝影：Maher El-Kady, UCLA）利用市售的光碟驅動器
UCLA表示，20美元左右的低價CD/DVD光碟機是製作石墨烯電極的出色「製造裝置」（圖1）。具體的製造方法如下：首先，將石墨粉末氧化，變成「氧化石墨（GO）」粉，然後將其混入水溶液中，均勻塗在PET（polyethyleneterephthalate）等薄膜基板上注1）。接下來，將其烘乾後貼在CD/DVD光碟上，並放入光碟機中，用燒錄CD時使用的雷射進行照射注2）。
圖1：光碟機變為石墨烯的「製造裝置」 UCLA開發的石墨烯電極材料的製造方法，以及採用該方法製造的柔性充電電池。在CD或DVD上貼上氧化石墨（GO）薄膜，將其放入CD/DVD的光碟機，用紅外線雷射照射後，GO可變成多層石墨烯（LSG）。 |
注1） 據說薄膜基板也可用鋁（Al ）箔及複印紙等代替。
注2） 使用的雷射是用來燒錄CD的波長為788nm的紅外光。
GO被雷射照射後，會被還原並剝離，變成多層石墨烯片重疊的「LSG（laser scribed graphene）」狀態，顏色也會由黃金色變成黑色。最後將附有石墨烯的薄膜基板從光碟上剝離下來，便可將其用於電容器或充電電池。UCLA用這種方法試製出了面積為1cm2，厚度僅為68μ～82μm的柔性電化學電容器（EC）。
UCLA嘗試了多種材料作為這種薄型EC的電解液，包括（1）磷酸、（2）由磷酸與聚乙烯醇（PVA）樹脂混合而成的凝膠狀物質、（3）離子液體。據UCLA介紹，這些電解液均在保持電容器較高輸出功率密度的情況下，實現了與鋰離子充電電池相當的能量密度。
尤其是電解液採用離子液體的EC，單位體積的最大能量密度約為1.36kWh/L，單位體積的最大輸出功率密度約為20kW/L，這樣的性能分別與薄型鋰離子充電電池的能量密度以及鋁電解電容器的輸出功率密度相當。
兼顧高品質和低成本
此前，研究人員為了把碳材料用作充電電池的電極做過很多嘗試，CNT等被視為前景廣闊的材料。但是，CNT的價格較高，實用化步伐較慢。而電極用石墨烯一般能以低於CNT的成本製造，而且，石墨烯還有望具備高於CNT的比表面積及導電率，因此作為超過CNT的電極材料而備受關注。
但是，此前石墨烯電極存在輸出功率密度低的問題。主要原因是，GO的還原與剝離不夠充分，採用濕法工藝還原的石墨烯片凝聚在一起，導致電極的導電率降低。而此次UCLA採用的方法是先塗上GO溶液，然後再採用幹法工藝進行還原、剝離。可以實現充分的還原和剝離，同時還解決了凝聚問題。另外，還能以更低的成本量產。理由是雷射照射法與製造大面積多晶矽的「雷射退火法」十分接近。
通過添加CNT實現高性能
如果只是將UCLA製造的EC作為單純的電容器或充電電池使用，現有低價產品也能實現同等水準的性能。日本物質材料研究機構（NIMS）通過在石墨烯中添加CNT來製作電極，使輸出功率密度與能量密度達到了前所未有的高水準（圖2）。
但是，此前石墨烯電極存在輸出功率密度低的問題。主要原因是，GO的還原與剝離不夠充分，採用濕法工藝還原的石墨烯片凝聚在一起，導致電極的導電率降低。而此次UCLA採用的方法是先塗上GO溶液，然後再採用幹法工藝進行還原、剝離。可以實現充分的還原和剝離，同時還解決了凝聚問題。另外，還能以更低的成本量產。理由是雷射照射法與製造大面積多晶矽的「雷射退火法」十分接近。
通過添加CNT實現高性能
如果只是將UCLA製造的EC作為單純的電容器或充電電池使用，現有低價產品也能實現同等水準的性能。日本物質材料研究機構（NIMS）通過在石墨烯中添加CNT來製作電極，使輸出功率密度與能量密度達到了前所未有的高水準（圖2）。
圖2：利用石墨烯和CNT接近開發目標 NIMS開發的石墨烯電極材料的構造及性能（a、b）。在石墨烯中添加CNT之後，CNT會通過自組織方式自然地進入石墨烯中。這製造了適當的間隙，使電流及離子的密度增加。 |
NIMS採用該電極與水性電解液製造EC時發現，電極單位重量的輸出功率密度為58.5kW/kg，單位重量的能量密度為62.8Wh/kg，「分別是採用活性炭電極時的10倍」（NIMS）。採用離子液體作為電解液時，能量密度進一步提高到了155.6Wh/kg。（記者：野澤 哲生，《日經電子》）
【VLSI】三星等計劃利用石墨烯實現「在大面積柔性基板上製造3D記憶體」
美國加州大學和南韓三星電子開發出了在大面積柔性基板上集成3D層疊型記憶體的基本技術（演講編號：6B-2）。通過在把電荷積聚在絕緣膜上的捕獲型記憶體的溝道上採用石墨烯，在柔性基板上形成了能夠3D層疊的高性能非揮發性記憶體。此次，採用石墨烯薄膜的轉印工藝，在SiO2/Si基板上製作了具備石墨烯溝道的存儲單元，發現能夠確保足夠大的工作窗口。
利用石墨烯製成存儲單元現已提出的3D記憶體方案，其構造多為在Si基板上3D層疊使用多晶矽溝道的存儲單元。東芝作為後NAND快閃記憶體正在開發的電荷捕獲型3D記憶體「BiCS」就是其中的一例。據三星的開發小組介紹，東芝的3D記憶體主要存在兩個課題。第一，溝道材料因採用多晶矽，難以充分提高工作速度等性能。第二，因多晶矽的退火處理等要在高溫下進行，在耐熱性差的柔性基板上難以形成。其結果是，目前基板材料只能使用300mm的矽晶圓。
三星的開發小組表示，在電荷捕獲型記憶體的溝道上採用石墨烯，能夠克服上述問題。首先，石墨烯的載流子遷移率高，因此工作速度高的存儲單元容易實現。其次，通過採用石墨烯的轉印工藝，能夠在250℃以下的低溫下形成存儲單元。因此優勢在於，可以採用與平板顯示器（FPD）相似的製造工藝，在大面積柔性基板上製作3D記憶體。
開發小組此次在SiO2/Si基板上形成了柵極電極採用Ni、溝道採用單層石墨烯、電荷存儲層採用HfO2、溝道絕緣膜採用Al2O3的存儲單元，並評估了其特性。得到的工作窗口寬達9.3V，足以用於非揮發性記憶體。（記者：大下 淳一）
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